2010 ³â 09¿ùÈ£
ÆíÁý¹æÇâ ±¤°í¾È³» ȸ»ç¼Ò°³ ¹«·á±¸µ¶½Åû
³â ¿ùÈ£
   
     
 
 
Home > Application Review »ó¼¼±â»ç º¸±â
ÀÚµ¿Â÷ Àü·ÂÀÇ ¿¡³ÊÁö È¿À² Çâ»óÀ» À§ÇÑ °³¹ß
ž翭 Àü·Â¿¡¼­ºÎÅÍ °íÀü¾Ð ¹ÝµµÃ¼¿¡ À̸£±â±îÁö, International Rectifier(IR)´Â ¹Ý¼¼±â ³Ñ°Ô ÀÚµ¿Â÷ Àü·Â ºÐ¾ß¿¡ Á¾»çÇØ ¿Ô´Ù. ÀÌ·¯ÇÑ ÃàÀûµÈ °æÇè°ú Àü¹®Áö½ÄÀ» ¹ÙÅÁÀ¸·Î ´Ù¾çÇÑ Á¦Ç° Æ÷Æ®Æú¸®¿À¸¦ Á¦°øÇÏ´Â IRÀº, ÀÌÁ¦ ÀÚµ¿Â÷ »ê¾÷ÀÇ »õ·Î¿î ¿ä±¸¸¦ ÃæÁ·ÇÒ ¼ö ÀÖ´Â °íǰÁúÀÇ ½Å·Ú¼º ³ôÀº ÀÚµ¿Â÷ ¼Ö·ç¼Ç °³¹ß¿¡ ÁÖ·ÂÇϰí ÀÖ´Ù. IRÀº »õ·Î¿î ¸®´õ½Ê°ú ¸ñÇ¥ÀǽÄÀ» °¡Áö°í¼­, ³ôÀº ¼öÁØÀÇ ½Å·Ú¼ºÀ» ´Þ¼ºÇϰí ȯ°æ ±ÔÁ¤À» ÁؼöÇÏ¸ç ¿¬ºñ ¶Ç´Â ¿¡³ÊÁö È¿À²À» Çâ»ó½ÃŰ´Â Àü·Â °ü¸® ¼Ö·ç¼ÇÀ» °³¹ßÇϰí ÀÖ´Ù.

±Û/Henning Hauenstein, International Rectifier Corp.

ÇÏÀ̺긮µå Àü±âÂ÷(HEV) ¿ëÀ¸·Î Direct Fuel Injection(Á÷Á¢ ¿¬·á ºÐ»ç)¿¡¼­ºÎÅÍ Àü±â ¸ðÅÍ ±¸µ¿¿¡ À̸£´Â ´Ù¾çÇÑ ¾ÖÇø®ÄÉÀ̼ÇÀ» Áö¿øÇϱâ À§ÇØ IRÀº ÀÚµ¿Â÷ »ç¾÷ºÎ¸¦ ¼³¸³Çϰí ÀúÀü¾Ð/ÁßÀü¾Ð/°íÀü¾Ð ½ºÀ§Ä¡, Áö´ÉÇü Àü·Â ½ºÀ§Ä¡(IPS), ÃÖ°í 1200VÀÇ Àü·Â MOSFET/IGBT¸¦ ±¸µ¿ÇÒ ¼ö ÀÖ´Â High-voltage mixed-signal µð¹ÙÀ̽ºÀÇ 5°³ Á¦Ç° ¶óÀÎÀ» °ü¸®Çϰí ÀÖ´Ù(±×¸² 1). ÀÌ µð¹ÙÀ̽ºµéÀº °íÀ¯±â¼ú ½Ç¸®ÄÜ ÇÁ·Î¼¼½º·Î ±¸ÇöµÇ¸ç ÀÚü °³¹ßµÈ ÷´Ü ÆÐŰ¡ ±â¼úÀ» °áÇÕÇß´Ù. À̵éÀº ¶ÇÇÑ 3°¡Áö Â÷º°ÀûÀÎ ÀÌÁ¡À» Á¦°øÇÑ´Ù. ±×°ÍÀº ¹Ù·Î ÀÌµé µð¹ÙÀ̽º°¡ ÀÚµ¿Â÷ »ê¾÷ÀÇ ±âÁØÀ» ÃæÁ·Çϰųª ÃʰúÇϸ鼭 ÀÚµ¿Â÷ ÀÎÁõ, Çâ»óµÈ ½Å·Ú¼º, ÀÛµ¿ º¯°æ °ü¸®¸¦ Á¦°øÇÑ´Ù´Â °ÍÀÌ´Ù.
IRÀº ÀÚ»ç Á¦Ç°À» Ÿ»ç Á¦Ç°°ú Â÷º°È­ÇÔÀ¸·Î½á Àü·Â ¹ÝµµÃ¼¿¡ À־ ¼±µµÀûÀÎ À§Ä¡¸¦ Â÷ÁöÇϰí ÀÖ´Ù. ÀÌ¹Ì 30¿©³â Àü¿¡ IRÀº ÃÖÃÊÀÇ »ó¿ë Àü·Â MOSFETÀ¸·Î HEXFETÀ» Ãâ½ÃÇÔÀ¸·Î½á ¹ÙÀÌÆú¶ó¸¦ ÀÌ¿ëÇÑ ¼±Çü Àü¿øÀåÄ¡¸¦ Á¦Ä¡°í ½ºÀ§Ä¡ ¸ðµå Àü¿øÀåÄ¡°¡ ±Þ¼ÓÇÏ°Ô Ã¤Åõǵµ·Ï ÇÏ¿´´Ù. IRÀº Çõ½ÅÀûÀÎ GaN Àü·Â ±â¼ú ¹× Ç÷§ÆûÀ» ³»³õÀ½À¸·Î½á ±×·¯ÇÑ ¼±µµÀûÀÎ À§Ä¡¸¦ °è¼ÓÇØ¼­ À¯ÁöÇÏ¿´´Ù. Áö³­ ÇØ¿¡´Â ÀÌ·¯ÇÑ È帧À» À̾ °íÀ¯ÀÇ CMOS ȣȯ GaN-on-Si ±â¹Ý HEMT(high electron mobility transistor)¿Í °ü·ÃµÈ °³¹ß Ç÷§ÆûÀ» ¹ßÇ¥ÇÏ¿´´Âµ¥ ÀÌ´Â ±âÁ¸ÀÇ Ã·´Ü ½Ç¸®ÄÜ ¹× ½Ç¸®ÄÜ Ä«¹ÙÀ̵å(SiC) MOSFET¿¡ ºñÇØ¼­ ½Ê¿© ¹è ¿ì¼öÇÑ FOM(figure of merit)À» Á¦°øÇÒ °ÍÀ¸·Î Àü¸ÁµÈ´Ù.

ÇÏÀ̺긮µå Àü±âÂ÷ÀÇ À¯Çü

ÇöÀç Ç¥ÁØÀûÀÎ ³»¿¬ ¿£Áø(ICE) ±¸µ¿ ÀÚµ¿Â÷¿Í ºñ±³Çؼ­ ÇÏÀ̺긮µå Àü±âÂ÷(HEV) ½ÃÀåÀº Å©Áö ¾ÊÀ¸³ª ¾ÕÀ¸·Î 2~3³â¿¡ °ÉÃÄ Æø¹ßÀûÀ¸·Î ¼ºÀåÇÒ °ÍÀ¸·Î º¸ÀδÙ. À¯·ùºñ°¡ Å©°Ô ÀλóµÇ°í Àü¼¼°èÀûÀ¸·Î CO2 ¹èÃâÀ» ÁÙÀ̵µ·Ï ¿ä±¸µÊÀ¸·Î½á ¾Ö³Î¸®½ºÆ®µéÀº HEV ÀÚµ¿Â÷ÀÇ ¿¬°£ ÆÇ¸Å°¡ 1¹é¸¸ ´ë¸¦ ³Ñ¾î¼³ °ÍÀ¸·Î Àü¸ÁÇϰí ÀÖ´Ù. ½ÇÁ¦·Î ÀϺΠÁ¶»ç¿¡¼­´Â 2012³â¿¡ À̸£·¯ ÇÏÀ̺긮µå Àü±âÂ÷ÀÇ ¿¬°£ ¼¼°è ÆÇ¸Å°¡ 2¹é¸¸ ´ë¿¡ ´ÞÇÒ °ÍÀ¸·Î Àü¸ÁÇϰí ÀÖ´Ù.
Çö½ÇÀûÀ¸·Î Ç¥ÁØÀûÀÎ ÇÏÀ̺긮µå ¾ÆÅ°ÅØÃ³°¡ Á¸ÀçÇÏÁö ¾ÊÀ¸¹Ç·Î ÀÌ¿Í °°ÀÌ HEV ÆÇ¸Å°¡ Àü¼¼°èÀûÀ¸·Î Áõ°¡ÇÏ´Â °ÍÀº ´Ù¾çÇÑ À¯ÇüÀÇ ¿¬·á È¿À² ÇÏÀ̺긮 ¸ðµ¨¿¡ ÀÇÇØ¼­ ÀÌ·ç¾îÁú °ÍÀÌ´Ù. °¢°¢ÀÇ HEV À¯ÇüÀº ¸ñÇ¥ ¾ÖÇø®ÄÉÀ̼ǿ¡ µû¶ó ºÐ·ùÇÒ ¼ö ÀÖ´Ù.
°¡Àå ´Ü¼øÇÑ ÇüÅÂÀÇ HEV´Â start-stop ±â´ÉÀÇ Ç¥ÁØÀû ICE ÀÚµ¿Â÷¿Í À¯»çÇÑ °ÍÀÌ´Ù. ÀÌ À¯ÇüÀº start-stop ±â´ÉÀÌ ±³Åë ½ÅÈ£µî, ±³Åë Á¤Ã¼, ±× ¹ÛÀÇ À¯»çÇÑ »óȲ µî¿¡¼­ ÇÊ¿äÇÏÁö ¾ÊÀ» ¶§ ICE¸¦ ÁßÁö½ÃŲ´Ù. À̿ܿ¡ ¸¶ÀÌÅ©·Î(micro), ¸¶Àϵå(mild), Ç®(full), Ç÷¯±×ÀÎ(plug-in) ÇÏÀ̺긮µå ÀÚµ¿Â÷°¡ ÀÖ´Ù. ¸¶ÀÌÅ©·Î ÇÏÀ̺긮µå´Â start-stop ±â´É°ú ÇÔ²² Ãß°¡ÀûÀÎ Á¦µ¿ ¿¡³ÊÁö ȸº¹(braking energy recuperation) ½Ã½ºÅÛÀ» ÀÌ¿ëÇϸç, ¸¶Àϵå ÇÏÀ̺긮µå´Â 10~20kWÀÇ Áß°£ Àü·Â Àü±â ¸ðÅ͸¦ Ãß°¡Çؼ­ ¿¬¼Ò ¿£ÁøÀ» Áö¿øÇϰí È¿À²À» Çâ»ó½ÃŲ´Ù. ¸¶Âù°¡Áö·Î Ç® ÇÏÀ̺긮µå¿Í Ç÷¯±×ÀÎ ÇÏÀ̺긮µå´Â ICE ¿£ÁøÀ» ÇÊ¿ä·Î ÇÏÁö ¾Ê°í ÀüÀûÀ¸·Î °íÀü·Â Àü±â ¸ðÅ͸¦ ÀÌ¿ëÇØ¼­(ÃÖ°í 100kW) ƯÁ¤ÇÑ ¼öÁØÀ» ±¸µ¿ÇÒ ¼ö ÀÖ´Ù. ¸¶Áö¸·À¸·Î ¼ø¼ö Àü±âÂ÷´Â ICE¸¦ ¾Æ¿¹ Æ÷ÇÔÇÏÁö ¾Ê°í 100kW ÀÌ»óÀÇ Àü·Â ¼öÁØÀÇ ¸Å¿ì °­·ÂÇÑ Àü±â Æ®·¢¼Ç ¸ðÅ͸¦ ÀåÂøÇÑ´Ù.
À§¿¡¼­ ¸»ÇÏ´Â ¸ðµç HEV À¯ÇüÀÌ °¢ÀÚÀÇ ±â¼úÀû °úÁ¦¸¦ ¾È°í ÀÖÀ¸¸ç Àü·Â °ü¸® ¿ä±¸°¡ °¢±â ´Ù¸£´Ù. Á¤ºÎ, »çȸ, ÇöÇà ÀÚµ¿Â÷ ±â¼ú Ç¥ÁØ, ÁöÁ¤ÇÐÀû ¶Ç´Â ȯ°æÀû ¿ä±¸¿Í ±ÔÁ¦°¡ ´Ù¾çÇÑ HEV À¯ÇüÀÇ ¼º°ø¿¡ Å©°Ô ¿µÇâÀ» ¹ÌÄ¥ °ÍÀÌ¸ç ¼¼°è ¿©·¯ Áö¿ª¿¡¼­ °¢±â ´Ù¸¥ HEV ¼Ö·ç¼Ç¿¡ À¯¸®ÇÏ°Ô Àû¿ëµÉ °ÍÀÌ´Ù.
±×·¸´Ù¸é ÀÌ´Â HEV ½ÃÀå¿¡¼­ IR¿¡ ¹«½¼ ÀǹÌÀÏ °ÍÀΰ¡? ¼ø¼öÇÏ°Ô ±â¼úÀû °üÁ¡¿¡¼­ IRÀº À§¿¡¼­ ¸»ÇÏ´Â ¸ðµç À¯ÇüÀÇ HEV¸¦ À§Çؼ­ ƯÁ¤ ¾ÖÇø®ÄÉÀÌ¼Ç Á¦Ç° ¹× Ĩ¼ÂÀ» Á¦°øÇÒ ¼ö ÀÖ´Â °¡Àå ÀûÇÕÇÑ À§Ä¡¿¡ ÀÖ´Ù. ±×·¯¹Ç·Î IRÀº ÇöÀç °¢°¢ÀÇ HEV À¯Çü¿¡ µû¶ó¼­ ÇÊ¿äÇÑ Ãâ½Ã½Ã°£À» Æò°¡ÇÏ°í ±×¿¡ µû¶ó¼­ ½Ã±ÞÇÑ ¼ø¼­´ë·Î °³¹ß ÀÛ¾÷À» ¼öÇàÇϰí ÀÖ´Ù.

ºñ¿ë°ú ¿¬·á È¿À²

À¯·´ Áö¿ª¿¡ ÁßÁ¡À» µÎ°í °¡±î¿î ½ÃÀÏ ³»¿¡ °¡Àå Å« ±âȸ´Â start-stop ±â´É°ú ¸¶ÀÌÅ©·Î ÇÏÀ̺긮µå°¡ µÉ °ÍÀ¸·Î º¸°í ÀÖ´Ù. BMW µîÀÇ OEMÀÌ ÀÌ¹Ì ÀÚ½ÅÀÇ ¸ÞÀνºÆ®¸² Ç÷§ÆûÀÇ Ç¥ÁØ ±â´ÉÀ¸·Î ÀÌ ±â´ÉÀ» Á¦°øÇϰí ÀÖ´Ù. ÀüüÀûÀÎ start-stop ±â´ÉÀÇ »ý»ê ºñ¿ëÀ» ³·°Ô´Â 300´Þ·¯·Î À¯ÁöÇÒ ¼ö ÀÖÀ¸¸ç ±×·¯¸é¼­µµ 3~10% ´ëÀÇ »ó´çÇÑ ¿¬·á Àý¾àÀ» ÇÒ ¼ö ÀÖ´Ù. È¥ÀâÇÑ µµ½É ±³ÅëÀÇ °æ¿ì¶ó¸é ÀÌ·¸°Ô Àý¾àÇÏ´Â °ÍÀÌ ÃÖ°í 25%¿¡ À̸¦ ¼ö ÀÖ´Ù. ³·Àº ºñ¿ë ÀÌÁ¡Àº start-stop ±â´ÉÀÌ Ç¥ÁØÀûÀÎ 12V Àü·Â ³×Æ®·Î ÀÛµ¿ÇÒ ¼ö Àֱ⠶§¹®¿¡ °¡´ÉÇÑ °ÍÀÌ´Ù. ¸¶ÀÏµå ¶Ç´Â Ç® ÇÏÀ̺긮µå ÀÚµ¿Â÷¿Í ´Þ¸® start-stop ±â´ÉÀº ºñ½Ñ °íÀü¾Ð ½Ã½ºÅÛÀ̳ª ¿¡³ÊÁö ÀúÀå ¹èÅ͸®¸¦ ÇÊ¿ä·Î ÇÏÁö ¾Ê´Â´Ù.
ÇÏÁö¸¸ start-stop ½Ã½ºÅÛÀº °­·ÂÇÑ ½ºÅ¸ÅÍ-±³·ù±â ¸ðÅÍ(Åë»ó 5~6kW)¸¦ ÀÌ¿ëÇÑ ¿¬¼Ò ¿£ÁøÀÇ ºó¹øÇÑ Å©·©Å· »çÀÌŬÀ» ÇØ°áÇØ¾ß ÇÑ´Ù. À̸¦ À§Çؼ­ IRÀº Á¢ÇպΠ¿Âµµ°¡ ÃÖ´ë 200?C¿¡ À̸£¸ç ½ºÅ¸ÅÍ-Á¦³Ê·¹ÀÌÅÍÀÇ ¸Å¿ì ³ôÀº ¾Ö¹ú·£Ä¡ ¿¡³ÊÁö¸¦ ó¸®ÇÒ ¼ö ÀÖ´Â °ß°íÇÑ MOSFETÀ» °³¹ßÇϰí ÀÖ´Ù. ±ØÈ÷ ¶Ù¾î³­ °ß°í¼º°ú Çâ»óµÈ ½Å·Ú¼ºÀÌ À̵é MOSFETÀÇ °¡Àå Áß¿äÇÑ Æ¯Â¡ÀÌ´Ù.
Start-stop ±â´ÉÀÌ ¾È°í ÀÖ´Â ¶Ç ´Ù¸¥ ÇØ°á°úÁ¦´Â º¸µå ³×Æ® ¾ÈÁ¤È­ DC-DC ÄÁ¹öÅÍÀÌ´Ù. ¿îÀü »çÀÌŬ ½Ã¿¡ ÇÑ ¹ø¸¸ ¿£ÁøÀ» ½Ãµ¿ÇÏ´Â ±âÁ¸ÀÇ ÀÚµ¿Â÷´Â ±×·¯ÇÑ ÄÁ¹öÅͰ¡ ÇÊ¿äÇÏÁö ¾Ê´Ù. ÇÏÁö¸¸ start-stop ±â´ÉÀ» ÀÌ¿ëÇÏ¸é ½ÅÈ£µî¿¡¼­ ¸Å¹ø Á¤ÁöÇÒ ¶§¸¶´Ù ºó¹øÇÏ°Ô Å©·©Å©µÇ¸ç 12V ¹èÅ͸® ³×Æ®°¡ Àß ¾Ë·ÁÁø ¹èÅ͸® Àü¾Ð µå·ÓÀ» °ÞÁö ¾ÊÀ¸¸é¼­ ¿£ÁøÀ» Å©·©Å©Çϱâ À§ÇÑ Àü·ÂÀ» °ø±ÞÇØ¾ß ÇÑ´Ù. ±×·¯ÇÑ ¹èÅ͸® Àü¾Ð µå·ÓÀº ¶óµð¿À¸¦ ²¨Áö°Ô Çϰųª ¶óÀÌÆ®°¡ ±ôºýÀÌ°Ô ÇÏ´Â µîÀÇ ¹®Á¦¸¦ ÀÏÀ¸Å³ ¼ö ÀÖ´Ù.
±âÁ¸ÀÇ ICE ±¸µ¿ ÀÚµ¿Â÷ÀÇ °æ¿ì ÀÌ·¯ÇÑ Çö»óµéÀº ¸ðµç ¿îÀüÀÚµéÀÌ ½Ãµ¿ ۸¦ ÀÛµ¿ÇÏ°í ¿£ÁøÀ» ½Ãµ¿ÇßÀ» ¶§ ÈçÈ÷ °æÇèÇÏ´Â °ÍµéÀÌ´Ù. À̸¦ ÇØ°áÇÏ´Â ¹æ¹ýÀº µÇµµ·Ï ¸Å²ô·´°Ô ÇÏ´Â °ÍÀÌ´Ù. À̸¦ À§ÇØ IRÀº µðÀÚÀ̳ʵéÀÌ ¿£Áø ½ºÅ¸Æ®¾÷ ½ÃÀÇ Àü·Â ¿ä±¸·®À» ¹öÆÛ¸µÇÏ´Â È¿À²ÀûÀÎ DC-DC ÄÁ¹öÅ͸¦ ±¸ÇöÇÒ ¼ö ÀÖµµ·Ï EMI°¡ ¸Å¿ì ³·Àº °í¼Ó ½ºÀ§Äª ºÎǰÀ» °³¹ßÇÏ¿´´Ù. ±×·¯ÇÑ ¿¹·Î¼­ »õ·Î¿î ÀÚµ¿Â÷ DirectFET Á¦Ç° ¶óÀÎÀº ÀÌ ¾ÖÇø®ÄÉÀ̼ÇÀ» À§ÇÑ ¶Ù¾î³­ Àü·Â ½ºÀ§Ä¡¸¦ Á¦°øÇÔÀ¸·Î½á °¡Àå ³·Àº RdsonÀ¸·Î ¶Ù¾î³­ ½ºÀ§Äª ¼º´ÉÀ» Á¦°øÇÏ¸ç µ¿½Ã¿¡ °ø°£°ú ¹«°Ô¸¦ Àý¾àÇÑ´Ù.
¸¶Àϵå ÇÏÀ̺긮 µî°ú °°Àº ÇÏÀÌ¿£µå HEV ½Ã½ºÅÛÀº °­·ÂÇÑ Àü±â ¸ðÅ͸¦ äÅÃÇØ¼­ ¿¬¼Ò ¿£ÁøÀ» Áö¿øÇϰí 15~35% ´ëÀÇ ¿¬·á Àý°¨À» °¡´ÉÇÏ°Ô Çϳª ¼Ö·ç¼Ç ºñ¿ë¿¡ 1200´Þ·¯ ÀÌ»óÀ» Ãß°¡ÇÑ´Ù. ÀÌ´Â ´Ü¼øÈ÷ ´õ ¸¹Àº ¼öÀÇ ºÎǰÀ» ÇÊ¿ä·Î ÇÏ°í ´õ ³ôÀº Àü¾Ð ¹èÅ͸®, ¿ÏÀü Àý¿¬ °íÀü¾Ð Àü·Â ³×Æ®, ´ëÇü Æ®·¢¼Ç ¸ðÅÍ ÀιöÅÍ, 2°³ Àü·Â ³×Æ® »çÀÌÀÇ ¿¡³ÊÁö Ç÷ο츦 À§ÇÑ DC-DC ÄÁ¹öÅÍ µîÀ» ÇÊ¿ä·Î Çϱ⠶§¹®ÀÌ´Ù.
¸¶Âù°¡Áö·Î Ç® ÇÏÀ̺긮µå, Ç÷¯±×ÀÎ ÇÏÀ̺긮µå, Àü±âÂ÷´Â(´õ ³ôÀº Àü·ù ¹× Àü¾ÐÀ» ÀÌ¿ëÇÏ´Â) ÈξÀ ³ôÀº Àü·Â ·¹º§ÀÇ Àü·Â ½Ã½ºÅÛÀ» ÇÊ¿ä·Î ÇÏ¸ç ±×¿¡ µû¶ó¼­ Àü·Â °ü¸® ±â´ÉÀ» À§ÇØ ´õ ¸¹Àº ½Ç¸®ÄÜÀ» »ç¿ëÇÑ´Ù. È¥ÀâÇÑ Áö¿ª¿¡¼­ 30~50%ÀÇ ¿¬·á È¿À² Çâ»óÀ» ´Þ¼ºÇÏ´Â Àü±â ¸ðÅÍ µå¶óÀ̺긦 °³¹ßÇϱâ À§ÇØ ÇÊ¿äÇÑ Ãß°¡ÀûÀÎ ºÎǰÀÌ 6000´Þ·¯¿¡¼­ ¸¹°Ô´Â 15000´Þ·¯¿¡ À̸¦ ¼ö ÀÖ´Ù. ±×·¯¹Ç·Î ÀÌ ½ÃÀå ºÐ¾ß´Â ´Ù¼Ò ´À¸®°Ô ¼ºÀåÇÒ °ÍÀ¸·Î ¿¹»óµÈ´Ù. ±àÁ¤ÀûÀÎ Ãø¸éÀ̶ó¸é ÀÌµé ½Ã½ºÅÛÀÌ ÈξÀ ´õ ¸¹Àº ½Ç¸®ÄÜÀ» ÇÊ¿ä·Î ÇÔÀ¸·Î½á ´À¸° ¼Óµµ·Î äÅÃµÉ °ÍÀ¸·Î ¿¹»óÀ» º¸»óÇÑ´Ù´Â °ÍÀÌ´Ù. ±×·¯¹Ç·Î ÀÌµé ¾ÆÅ°ÅØÃ³ ¶ÇÇÑ Àü·Â °ü¸® ¼Ö·ç¼ÇÀÇ ¸ñÇ¥ ºÐ¾ßÀÌ´Ù.

°íÀü¾Ð Àü·Â µð¹ÙÀ̽º


IRÀº ¶ÇÇÑ ¸¶Àϵå ÇÏÀ̺긮µå ¿ëÀ¸·Î 10~15kW ´ëÀÇ ÆÄ¿öÆ®·¹ÀÎ ¸ðÅ͸¦ À§ÇÑ Ã·´Ü ¸ðÅÍ µå¶óÀÌºê ¼Ö·ç¼ÇÀ» °³¹ßÇÏ¿´´Ù. ±×¸®°í 100kW ¹× ±× ÀÌ»óÀÇ ¸ðÅ͸¦ äÅÃÇÑ Ç® ÇÏÀ̺긮µå ¹× Ç÷¯±×ÀÎ ÇÏÀ̺긮µå¿Í Àü±âÂ÷ ¿ëÀ¸·Î ÃÖ´ë 1200V Ç׺¹ Àü¾ÐÀÇ IGBT ¹× µå¶óÀ̹ö IC¸¦ °ø±ÞÇϰí ÀÖ´Ù. ÀÌµé ¾ÖÇø®ÄÉÀ̼ǿ¡¼­ ÀÌ¿Í °°Àº ´ëÇü ¸ðÅ͸¦ ±¸µ¿Çϱâ À§ÇÑ ÀιöÅÍ´Â ÀÚµ¿Â÷ µî±Þ °íÀü¾Ð IGBT¸¦ ÇÊ¿ä·Î ÇÑ´Ù.
½ÇÁ¦·Î Åë»óÀûÀ¸·Î 100V¿¡¼­ ÃÖ°í 1200V¿¡ À̸£´Â ³ôÀº Àü¾ÐÀ¸·Î ÀÛµ¿ÇÏ´Â ±×¿Í °°Àº °­·ÂÇÑ ¸ðÅÍ´Â 12V ¼¼°è¿¡ Àͼ÷ÇÑ ÀÚµ¿Â÷ ȯ°æÀÇ ¿£Áö´Ï¾îµé¿¡°Ô ¾Æ¸¶µµ °¡Àå Ä¿´Ù¶õ º¯È­ÀÏ °ÍÀÌ´Ù. ±×·¯¹Ç·Î À̰ÍÀº ÀÌµé ¿£Áö´Ï¾î°¡ »õ·Î¿î HEV ¾ÆÅ°ÅØÃ³·Î Àü¹®Áö½Ä°ú °æÇèÀ» È®ÀåÇÒ ¼ö ÀÖ´Â Áß´ëÇÑ ÇнÀ °î¼±ÀÌ µÉ °ÍÀÌ´Ù.
´Ù¾çÇÑ ÇÏÀ̺긮µå ¾ÆÅ°ÅØÃ³¸¦ À§ÇÑ ¿¡³ÊÁö Àý¾à ¼Ö·ç¼ÇÀ» °ø±ÞÇϱâ À§Çؼ­ IRÀº ´Ù¸¥ °íÀüÀûÀÎ ÀÚµ¿Â÷ ¹ÝµµÃ¼ ¾÷ü¿¡ ºñÇØ¼­ À¯¸®ÇÑ À§Ä¡¿¡ ¼­ ÀÖ´Ù. ´ëºÎºÐÀÇ ÀÚµ¿Â÷ ¹ÝµµÃ¼ ¾÷üµéÀº ÁÖ·Î 12V ½Ã½ºÅÛ¿¡ ÁÖ·ÂÇßÀ¸¹Ç·Î 80V~100V µð¹ÙÀ̽º¸¶Àúµµ ¸Å¿ì ³ôÀº Àü¾ÐÀ¸·Î ÀÎ½ÄµÉ °ÍÀÌ´Ù. ¹Ý¸é¿¡ IRÀº °íÀü·Â »ê¾÷¿ë ¹× °¡Àü±â±â ¸ðÅÍ µå¶óÀ̺꿡 À־ ¿À·£ ±â°£¿¡ ÃàÀûµÈ °æÇèÀ» ¹ÙÅÁÀ¸·Î ÀÌµé ¾ÖÇø®ÄÉÀ̼ÇÀ» À§ÇÑ °ß°íÇÑ °íÀü¾Ð Àü·Â µð¹ÙÀ̽º¸¦ ¼Õ½±°Ô Á¦°øÇÒ ¼ö ÀÖ´Ù.
±×·¡¼­ IRÀº ÀÌµé ¾ÖÇø®ÄÉÀ̼ÇÀ» À§Çؼ­ IGBT ¹× Á¦¾î IC ¿ëÀ¸·Î °íÀü¾Ð Si ÇÁ·Î¼¼½º¸¦ °³¹ßÇÏ¿´´Ù. »Ó¸¸ ¾Æ´Ï¶ó Si Ĩ ¹× ÆÐŰÁöÀÇ ½Å·Ú¼º°ú °ß°í¼ºÀ» Çâ»ó½ÃÅ´À¸·Î½á °ËÁõµÈ »ê¾÷¿ë ¼Ö·ç¼ÇÀ» ÀÚµ¿Â÷ ¾ÖÇø®ÄÉÀ̼ǿ¡ »ç¿ëÇÒ ¼ö ÀÖµµ·Ï Çϰí ÀÖ´Ù. ÀÌ·¯ÇÑ °á°ú·Î IRÀº ¸Å¿ì ªÀº ±â°£¿¡ µå¶óÀ̹ö IC¿Í Àü·Â µð¹ÙÀ̽º¸¦ Æ÷ÇÔÇÏ´Â »ó´çÇÑ HEV Á¦Ç° Æ÷Æ®Æú¸®¿À¸¦ ±¸ÃàÇÒ ¼ö ÀÖ°Ô µÇ¾ú´Ù. ±×¿Í ÇÔ²² ÀÌ ½ÃÀåÀ» À§ÇÑ ¸ÂÃãÈ­µÈ ¼Ö·ç¼ÇÀ» ½Å¼ÓÇÏ°Ô Á¦°øÇÒ ¼ö ÀÖ´Ù.
IRÀº ¾ÕÀ¸·Î 12°³¿ù ³»¿¡ ½ÃÀåÀ» À§ÇÑ 200¿© °³ÀÇ »õ·Î¿î Á¦Ç°À» Ãâ½ÃÇÒ ¿¹Á¤ÀÌ´Ù. À̵é Á¦Ç°Àº ³ôÀº °ß°í¼ºÀ» Áö´Ñ µ¿½Ã¿¡ ¾ÈÀü ±â´ÉÀ» äÅÃÇÑ »õ·Î¿î µå¶óÀ̹ö IC¿Í IGBT, MOSFET, DirectFET µîÀÇ °íµµ·Î È¿À²ÀûÀÎ Àü·Â µð¹ÙÀ̽º¸¦ Æ÷ÇÔÇÑ´Ù. HEV Æ®·¢¼Ç ¸ðÅÍ¿¡ °áÇÔ ¹× ´Ü¶ô ȸ·Î°¡ ¹ß»ýÇÑ °æ¿ì ¸¶ÀÌÅ©·ÎÄÁÆ®·Ñ·¯ »óÈ£ÀÛ¿ëÀÌ ÇÊ¿äÇÏÁö ¾Ê°Ô Çϱâ À§Çؼ­ IR µðÀÚÀ̳ʵéÀº ¸ðµç ¸ðÅÍ µå¶óÀ̺ê IC¿¡ º¸È£ ±â´ÉÀ» ±¸ÇöÇÏ¿´´Ù. IRÀº ¾Æ¸¶µµ À½Àü¾Ð ½ºÆÄÀÌÅ© ³»¼ºÀ» À§Çؼ­ µ¥ÀÌÅÍ½ÃÆ®¿¡ NTSOA(negative transient safe operating area)¸¦ Æ÷ÇÔ½ÃŲ ÃÖÃÊÀÇ ÀÚµ¿Â÷ ¹ÝµµÃ¼ ȸ»çÀÏ °ÍÀÌ´Ù. À½Àü¾Ð ½ºÆÄÀÌÅ©´Â HEV ÀιöÅÍ¿¡¼­ °íÀü·ù·Î °íÀü¾Ð IGBT¸¦ ½ºÀ§ÄªÇÒ ¶§ ¸Å¿ì ÈçÇÏ°Ô ¹ß»ýÇÏ´Â ¹®Á¦ÀÌ´Ù(±×¸² 2).
ÆÐŰ¡ Ãø¸é¿¡¼­´Â °¡Àü±â±â ºÐ¾ß¸¦ À§Çؼ­ ¼ö³â Àü¿¡ ÃÖÃÊ·Î Ãâ½ÃÇÏ¿´´ø DirectFET Á¦Ç°±ºÀ» È®´ëÇÏ¿´´Ù. AEC ÀÎÁõ ±Ô°ÝÀ» ¿Ïº®ÇÏ°Ô ÁؼöÇϸç 100% ¹«¿¬ÀÎ ÀÚµ¿Â÷ ¹öÀü Á¦Ç°À» °ø±ÞÇϰí ÀÖ´Ù. ÀÌ Ã·´Ü Ĩ ½ºÄÉÀÏ ÆÐŰÁö´Â ¾÷°è ¼±µµÀûÀÎ ³·Àº Rdson, ¶Ù¾î³­ ½ºÀ§Äª ¼º´É, Çâ»óµÈ ¿­ ¼º´É(¾ç¸é ³Ã°¢ µî) À̿ܿ¡µµ ƯÈ÷ HEV DC-DC ÄÁ¹öÅÍ¿Í °°Àº Àü·Â ¼Ò¸ðÀûÀÎ ¶Ç´Â °í¼Ó ½ºÀ§Äª ¾ÖÇø®ÄÉÀ̼ǿ¡¼­ Å©±â¿Í ¹«°Ô¸¦ ±ØÀûÀ¸·Î ÁÙÀÏ ¼ö ÀÖµµ·Ï ÇÑ´Ù.
ÀÌ Á¦Ç°±º¿¡ ¼Ö´õ°¡´É Àü¸é ±Ý¼ÓÀ» ÀÌ¿ëÇÑ ´Ù¾çÇÑ ´ëÇü Àü·Â µð¹ÙÀ̽º¸¦ Ãß°¡ÇÒ °èȹÀÌ´Ù. ±×·³À¸·Î½á ¸ÂÃãÈ­µÈ ¾ç¸é ³Ã°¢À» °¡´ÉÇÏ°Ô ÇÒ »Ó¸¸ ¾Æ´Ï¶ó ¼ö¸íÀÌ °æ°úÇÔ¿¡ µû¶ó¼­ ±â°èÀû °áÇÔÀÇ ±Ùº»ÀûÀÎ ¿øÀÎÀÌ µÇ´Â º»µå ¿ÍÀ̾ Á¦°ÅÇÒ ¼ö ÀÖµµ·Ï ÇÑ´Ù. »Ó¸¸ ¾Æ´Ï¶ó ÀÌ ¾ÖÇø®ÄÉÀ̼ÇÀÇ ³ôÀº Àü·ù ¿ä±¸·Î ÀÎÇØ °íÀü·Â ¸ðÅÍ µå¶óÀ̺꿡¼­ ´Ù¼öÀÇ ¼ÒÇü µð¹ÙÀ̽º¸¦ º´·ÄÈ­ÇÏ´Â ¹®Á¦¸¦ ¿ÏÈ­Çϱâ À§Çؼ­ ÀÌ Á¦Ç°±ºÀº Àü¿¡´Â º¼ ¼ö ¾ø´ø Àü·ù ¹Ðµµ°¡ °¡´ÉÇÑ ´ëÇü ¸éÀû µð¹ÙÀ̽º¸¦ Á¦°øÇÒ °ÍÀÌ´Ù.
´Ù¾çÇÑ HEV À¯ÇüÀ» À§ÇÑ ÀÚµ¿Â÷ Á¦Ç° Æ÷Æ®Æú¸®¿À¸¦ ÁغñÇÏ´Â °Í°ú ÇÔ²², IRÀº ÀÚµ¿Â÷ ȯ°æÀÇ ±× ¹ÛÀÇ Ä£È¯°æ ¾ÖÇø®ÄÉÀ̼ÇÀ» ¸ñÇ¥·Î °³¹ß ÀÛ¾÷À» Çϰí ÀÖ´Ù. ¶ÇÇÑ À̸¦ À§ÇØ ´Ù¼öÀÇ Æ¯Á¤ ¾ÖÇø®ÄÉÀÌ¼Ç Àü·Â °ü¸® µð¹ÙÀ̽º¸¦ °³¹ßÇϰí ÀÖ´Ù. ¿¡¾î ÄÁµð¼Å´× ÄÄÇÁ·¹¼­, Àüµ¿ ÆÄ¿ö ½ºÆ¼¾î¸µ, ¿¬·á ¹× ¿ÀÀÏ ÆßÇÁ, ¿£Áø ³Ã°¢ ÆÒ µî°ú °°ÀÌ ÇÑ ÀÚ¸® ´ë kW ¼öÁØÀÇ ¼ÒÇü ¸ðÅ͸¦ äÅÃÇÑ ¸ðµç ÁÖº¯ÀåÄ¡ ½Ã½ºÅÛÀ» »ìÆìº¸¸é ÀÌµé ¸ðµç ÀåÄ¡°¡ ºê·¯½¬¸®½º Àü±â ±¸µ¿ AC ¸ðÅÍ·Î ÀüȯÇϰí ÀÖ´Ù´Â °ÍÀ» ¾Ë ¼ö ÀÖ´Ù. ¶ÇÇÑ ÀÚµ¿Â÷ ¾ÆÅ°ÅØÃ³¿¡ »õ·Î¿î ¹èÅ͸® °ü¸® ½Ã½ºÅÛ°ú °¥¼ö·Ï ´õ ¸¹Àº DC-DC ÄÁ¹öÅͰ¡ ÀÌ¿ëµÇ°í ÀÖ´Ù´Â °ÍÀ» ¾Ë ¼ö ÀÖ´Ù. IRÀÇ Á¦¾î IC¿Í Àü·Â ½ºÀ§Ä¡´Â ¿©±â¿¡ È¿°úÀûÀ¸·Î ÀÌ¿ëÇÏ´Â µ¥ ÀûÇÕÇÏ°Ô ¼³°èµÇ¾ú´Ù.
ÃÖ±Ù¿¡ Ãâ½ÃµÈ AUIRS4427S, AUIR2085, AUIRS-2003 µî°ú °°Àº ÀÚµ¿Â÷ µî±Þ µå¶óÀ̹ö IC¿Í DirectFET ¹× Ç¥ÁØ ÆÐŰÁö Æ®·»Ä¡ Àü·Â ½ºÀ§Ä¡´Â ÀÚµ¿Â÷ Àü·ÂÀÇ ¿¡³ÊÁö È¿À²À» Çâ»ó½Ã۱â À§ÇÑ IRÀÇ Çå½ÅÀûÀÎ ³ë·ÂÀ» Àß º¸¿©ÁÖ´Â °ÍµéÀÌ´Ù.

±âÀÚ : ´º½º°ü¸®ÀÚ ±âÀÚ news@semiconnet.co.kr ±â»ç ÀÔ·Â ½Ã°£ : 2010³â 3¿ù
°ü·Ã URL : http://
º¸¾È ÄÁÆ®·Ñ·¯ - »õ·Î¿î ½Ã´ëÀÇ °ø°Ý ´ëÀÀ¹ý
FPGA¸¦ ÅëÇÑ ÀÇ·á¿ë ¿µ»óÀÇ ±¸Çö¹æ¹ý
½Ã¸®¾ó ÀÎÅÍÆäÀ̽ºÀÇ ¼±ÅÃÀ» ÁÖµµÇÏ´Â ¼ÒÇüÈ­ ¹× Àúºñ¿ë Ãß¼¼
°í±â´É ½º¸¶Æ®ÆùÀ» À§ÇÑ USB 2.0 Æ÷Æ® °øÀ¯ ±â´É
XMOS-Hardware¿Í SoftwareÀÇ ÅëÇÕ ¼³°è
¿¡³ÊÁö ¹× ÀÚ¿ø °ü¸®¿¡ ÀÎÅÚ¸®Àü½º ¹× ³×Æ®¿öÅ© ±â´ÉÀ» ºÒ¾î³Ö´Â ½º¸¶Æ® ¹ÌÅ͸µ
DDR3 ¸Þ¸ð¸® ÀÎÅÍÆäÀ̽º ÄÁÆ®·Ñ·¯ IP °í¼Ó µ¥ÀÌÅÍ ÇÁ·Î¼¼½Ì ¾ÖÇø®ÄÉÀ̼Ç
°¡º¯-Á¤¹Ðµµ ¾ÆÅ°ÅØÃ³¸¦ ÀÌ¿ëÇÑ °íÁ¤¹Ð DSP ¾ÖÇø®ÄÉÀÌ¼Ç ±¸Çö
ÇÁ·Î±×·¡¸Óºí ¼Ö·ç¼ÇÀÇ »õ·Î¿î À¯Çü
°£´ÜÇÑ MicroBlaze ¸¶ÀÌÅ©·ÎÄÁÆ®·Ñ·¯ÀÇ ÄÁ¼Á
¾ÆÀ̵ð ºñ¹Ð¹øÈ£   
ȸ¿øÀÇ °æ¿ì¸¸ Àǰߵî·ÏÀÌ °¡´ÉÇÕ´Ï´Ù. ¾ÆÀ̵ðºñ¹øÀ» ÀÔ·ÂÇϸé ÀÚµ¿·Î±×ÀÎ µË´Ï´Ù.